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工研院在美国举办的IEEE国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting,大发好运pk10注册IEDM)中发表三篇铁电记忆体(Ferroelectric RAM,FRAM)以及三篇磁阻随机存取记忆体(Magnetoresistive Random-Access Memory,MRAM)相关技术重要论文,引领创新研发方向,为新兴记忆体领域中发表篇数最多者;工研院电光系统所所长吴志毅表示,两者都是非挥发性记忆体,都具备低待机功耗、高处理效率的优势,未来应用发展潜力可期。工研院表示,IEDM为年度指标性的半导体产业技术高峰会议,每年由来自全球最顶尖的半导体与奈米科技专家一同探讨创新的电子元件发展趋势,工研院发表多篇新兴记忆体,展现团队深耕记忆体领域获国际肯定的丰硕成果,同时发表论文的机构包括英特尔、台积电(2330)、三星等国际顶尖半导体公司。 吴志毅表示,5G与AI时代来临,摩尔定律一再向下的微缩,半导体走向异质整合,不同的技术整合性越来越强,能突破既有运算限制的下世代记忆体将在未来扮演更重要角色;新兴的FRAM及MRAM读写速度比大家所熟知的快闪记忆体快上百倍、甚至千倍。吴志毅说,FRAM的操作功耗极低,适合IoT与可携式装置应用,MRAM速度快、可靠性好,适合需要高性能的场域,像是自驾车,云端资料中心应用等,两者都是非挥发性记忆体,都具备低待机功耗、高处理效率的优势,未来应用发展潜力可期。在MRAM技术的开发上,工研院也在IEDM中发表自旋轨道转矩(Spin Orbit Torque;SOT)MRAM相关的最新研成果。相较于台积电、三星等即将导入量产的第二代MRAM技术,SOT-MRAM为全球积极研究中的最新第三代技术,以写入电流不流经元件磁性穿隧层结构的方式运作,避免现有MRAM操作时,读、写电流均直接通过元件对元件造成损害的状况,同时也具备更稳定、更快速存取资料的优势。相关的技术并已成功的导入工研院自有的试量产晶圆厂,后续商品化的进度可期。在经济部科专的支持下,工研院在全球指标性的IEDM中发表新兴记忆体相关成果;工研院将以累积多年的记忆体元件相关研发能量,携手半导体厂商,抢攻下一波5G与AI趋势发展商机。

工研院 发表下世代FRAM与MRAM技术

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